АИБА Тосиаки (JP)

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем активный слой и изолирующую затвор пленку, активный слой содержит слой оксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфную область и кристаллическую область, и при этом кристаллическая область отделена от первой поверхности раздела, которая является пове...