Щёлушкин Виктор Николаевич (RU)

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Фотоэлемент содержит монокристаллическую подложку кремния дырочной или электронной проводимости, на которой расположены слои полупроводника n+ и p+ типа с p-n-переходом и прозрачный полупроводящий слой, в который введены наночастицы металла, при этом каждая частица находится в углублении (ямке), а межд...