Грызлов Борис Вячеславович (RU)

Изобретение может быть использовано для получения моносилана, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, производства поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты. Взаимодействие тетрафторида кремния с галогенгидридом кальция общей формулы СаНХ, где Х=Cl, Br или J, проводят в среде С12-С30-полифениловых эфиров или их смесей с дифенилом при температуре 100-250°С....