PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Шемардов Сергей Григорьевич (RU)

Изобретатель Шемардов Сергей Григорьевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, включающем получение заготовки структуры кремния на сапфире, аморфизацию полу...

2390874

Способ получения сверхтонких пленок кремния на сапфире

Способ получения сверхтонких пленок кремния на сапфире

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения сверхтонких пленок кремния на сапфире в объектах, содержащих сапфировую подложку и исходный слой кремния, толщина которого значительно больше толщины получаемых тонких пленок кремния, производят аморфизацию большей части слоя кремния, после чего производят твердофазную рекристаллизацию этого слоя, при которой испо...

2427941

Тепловыделяющий элемент для ядерных водо-водяных реакторов и способ его изготовления

Тепловыделяющий элемент для ядерных водо-водяных реакторов и способ его изготовления

Изобретение относится к ядерной энергетике и может быть использовано для изготовления твэлов преимущественно для ядерных водо-водяных энергетических реакторов (ВВЭР). Технический результат заключается в повышении безопасности твэла, его упрощении и снижении экономических затрат на его производство. Для этого трубка оболочки твэла выполнена из чередующихся слоев нанокристаллического карбида кремн...

2481654

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением, формируют путем имплантации ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига...

2581443

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее изготовления

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее изготовления

Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующи...

2633437