Самсонова Татьяна Павловна (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния. Сущность изобретения: интегрированный Шоттки-рn диод на основе карбида кремния включает сильнолегированную подложку из карбида кремния n-типа и эпитаксиальный слой из карбида кремния n-типа толщиной (10-13)мкм с концентрацией прим...

Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния включает создание р-областей с прямоугольным профилем легирован...