Коньков Олег Игоревич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния. Сущность изобретения: интегрированный Шоттки-рn диод на основе карбида кремния включает сильнолегированную подложку из карбида кремния n-типа и эпитаксиальный слой из карбида кремния n-типа толщиной (10-13)мкм с концентрацией прим...

Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния включает создание р-областей с прямоугольным профилем легирован...

Изобретение относится к области техники высоких и сверхвысоких частот и предназначено для эффективной защиты входов радиоэлектронного оборудования от воздействия электромагнитных наводок. Технический результат - повышение эффективности защиты входов радиоэлектронного оборудования от внешних переменных магнитных полей за счет полной компенсации магнитной составляющей электромагнитной волны. Для...

Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении фотонных устройств, сверхъёмких аккумуляторов и суперконденсаторов, высокочувствительных химических сенсоров и разделительных мембран. Углеродсодержащий материал - природный минерал шунгит с размером частиц 0,01-1 мкм помещают в зону испарения 1 термокамеры. Испаритель нагревают до...