Черных Сергей Петрович (RU)
Изобретатель Черных Сергей Петрович (RU) является автором следующих патентов:

Устройство для измерения температуры
Изобретение относится к функциональным приборам для измерения температур. Устройство содержит керамический корпус, в углублении которого расположены головки металлических выводов, соединенных с кристаллом полупроводникового алмаза. Соединение выполнено методом «флип-чип» монтажа с применением Аu-содержащего припоя. Упомянутое углубление заполнено герметиком. Технический результат - повышение точн...
2391638
Светодиодный источник излучения
Изобретение относится к средствам светоизлучения и может быть использовано в различных светосигнальных устройствах, например - семафорах. Светодиодное излучающее устройство содержит, по меньшей мере, один или несколько полупроводниковых излучателей света, одноцветного либо разноцветного излучения оптического диапазона, держатель излучателя света, теплоотводящую металлизированную подложку с присое...
2392539
Полупроводниковое устройство
Изобретение относится к оптоэлектронике. Полупроводниковое устройство содержит герметичный корпус, основание с присоединительными выводами, по меньшей мере, один из выводов изолирован от основания. В основании выполнено углубление с плоским дном для посадки одного или нескольких полупроводниковых элементов с выводами. Основание выполнено двухслойным, нижний слой выполнен из алмаза, а верхний - из...
2392696
Способ получения монокристаллов a3b5
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида. Монокристаллы соединений А3В5 осуществляют вытягиванием из расплава на затравку под слоем борного ан...
2400574
Фотолюминофор желто-оранжевого свечения и светодиод на его основе
Изобретение относится к электронной технике и освещению и может быть использовано при изготовлении осветительных и информационных устройств. Фотолюминофор имеет формулу (∑Ln)3Al5-x-yLiyMgx/2Six/2Fq/3O12-qN2y+q/2, где 0,001≤x≤0,05; 0,0001<y<0,05; 0,001≤q≤0,02; имеет кубическую структуру алюмоиттриевого граната с параметром кристаллической решетки а меньше или равным 11,99 Å. Зерна фотолюмино...
2455335