Бородзюля В.Ф.

 Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур. Технический результат, обеспечиваемый изобретением, - получение возможности непосредственно регистрировать зависимость изгиба зон полупроводника s(Va) от модулир...

 Изобретение относится к измерению и контролю электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур. Способ заключается в том, что на МДП-структуру подают напряжение смещения Uсм и обедняющие импульсы напряжения U1 и U2 2U1, совмещают по времени импульс...

 Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники и предназначено для регистрации светового излучения коротких световых сигналов малой интенсивности. Сущность: способ заключается в том, что в металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)-структуре используют туннельно-тонкий диэлектрик, проводят формовку МДП-структуры импульсами фототока, помещая МДП-структуру в среду жидкого азот...

 Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)-структур. Способ заключается в том, что на МДП-структуру подают напряжение смещения Uсм и обедняющие импульсы напряжения...