ОДНОБЛЮДОВ Максим А. (FI)

Изобретение относится к полупроводниковым структурам с повышенной способностью к рассеянию света. Сущность изобретения: полупроводниковая структура образована из нитридов металлов III группы с кристаллической структурой вюрцита и выращена в паровой фазе на полупроводниковой подложке с ориентацией (0001). Структура включает нижний покрывающий слой, верхний покрывающий слой и область рассеяния, рас...

Светодиодный чип (1), выращенный на электроизоляционной подложке (4), содержит нижний токораспределительный слой (5) первого типа проводимости и сформированные на нем первый электрод (2) и вертикальную слоистую структуру (5, 6, 7), отделенные друг от друга в горизонтальном направлении. Вертикальная слоистая структура содержит активный слой (6) и расположенный над ним верхний токораспределительный...

Изобретение относится к реакторной установке для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе. Реакторная установка содержит реакционную камеру с входным отверстием для введения технологических газов в реакционную камеру и выходным отверстием для остаточных газов и насос для откачивания остаточных газов из реакционной камеры через выходное отверстие для остаточного газа. Насос способен со...