Геловани Виктор Арчилович (RU)

Диодный лазер включает гетероструктуру, которая содержит по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания. Гетероструктура характеризована отношением показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, отношение nэф к nвт определено из диапа...

Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит по крайней мере один диодный лазер и по крайней мере, два диодных оптических усилителя, интегрально связанных с упомянутым лазером и сформированных в той же гетероструктуре. Гетероструктура содержит по крайней мере один активный слой и два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую с...

Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит задающий лазер, интегрально и оптически связанный с ним линейный усилитель, два перпендикулярных усилителя, интегрально и оптически связанные с линейным усилителем. Задающий лазер и указанные усилители сформированы в единой гетероструктуре. Гетероструктура содержит активный слой и два ограничительных слоя, область втекания из...