Мишустин Владислав Геннадьевич (RU)

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для формирования омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах, на основе нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния или других неупорядоченных полупроводников. Сущность изобретения: в способе создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на амор...