Боргардт Николай Иванович (RU)
Изобретатель Боргардт Николай Иванович (RU) является автором следующих патентов:
Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния
Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. Сущность изобретения: слой TiN удаляется селективно к Al и SiO2 при реактивном ионном травлении его в плазме CF4+O2 при соотношении компонентов (см3/мин) 5:(30-40), рабочем давлении 20-30 Па, при плотности высокочастотной мощности 8-1...
2392689Тестовая структура для калибровки предметных столиков растровых электронных микроскопов в нанометровом диапазоне
Изобретение относится к области электронной микроскопии, а точнее к устройствам, обеспечивающим калибровку предметных столиков растровых электронных микроскопов в широком диапазоне перемещений. Изобретение представляет собой структуру, состоящую из основания и расположенного на нем упорядоченного массива микроструктур в виде выступов, размещенных так, что в каждой строке каждый n-й элемент замене...
2462725Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к двуокиси кремния, поликремнию и вольфраму
Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. Сущность изобретения: слой TiN удаляется селективно к SiO2, вольфраму и поликремнию при реактивном ионном травлении его в плазме O2 с присутствующей в зоне разряда пластинкой фторопласта площадью 2-20% рабочей поверхности высокочаст...
2533740Способ изготовления катализатора из нанопроволоки
Изобретение относится к нанотехнологии, может быть использовано в химической промышленности для создания эффективных катализаторов. Заключается в том, что на подложку наносят вспомогательный слой, в котором формируют ряды канавок нанометровой глубины с вертикальными стенками, наносят слой каталитического материала нанометровой толщины, поверх которого формируют маску из фоторезиста с рисунком узки...
2609788Способ локального травления двуокиси кремния
Изобретение относится к микроэлектронике, способам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам жидкостного травления. Сущность изобретения: выравнивание локальной неравномерности толщины слоя двуокиси кремния на поверхности кристалла ИС, образовавшейся в процессе последовательного удаления топологических слоев, производится с помощью локального жидкостного травления, которое осущес...
2651639