Кузьмин Николай Борисович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, их гибридной сборке и преимущественно предназначено для сборки фотоприемных модулей. Сущность изобретения: в способе формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения на подложке литографически изготавливают заготовки контактных столбов из индия, затем помещают в вакуум, в котором формируют поток атом...

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при изготовлении приемников ИК-излучения. На подложке InAs формируют слоистую структуру, содержащую подзатворный диэлектрик (SiO2). Последовательно изготавливают на подзатворном диэлектрике затворы и контактные столбы (In). Затворы выполняют в виде последовательности слоев: слой материала, формирующего непосредственно затвор...