Путролайнен Вадим Вячеславович (RU)
Изобретатель Путролайнен Вадим Вячеславович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ получения фотогальванического элемента Способ получения фотогальванического элемента](/img/empty.gif)
Способ получения фотогальванического элемента
Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве кремниевого фотоэлемента для преобразования энергии излучения в электрическую энергию. Способ получения фотогальванического элемента, при котором рабочую область фотодиода и антирефрактивное покрытие создают путем формирования барьера Шоттки через напыление металлической пленки никеля на кремний n-типа с последую...
2392694![Способ получения энергонезависимого элемента памяти Способ получения энергонезависимого элемента памяти](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b16d6ec5cd0ff339168e4b5fbc37321c.jpg)
Способ получения энергонезависимого элемента памяти
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении двухэлектродных резистивных энергонезависимых элементов запоминающих устройств. Сущность изобретения: способ получения энергонезависимого элемента памяти включает создание нижнего проводящего электрода, буферного изоляционного слоя, слоя, обладающего резистивным переключением, и верхнего проводящего электр...
2468471![Способ получения диода на основе оксида ниобия Способ получения диода на основе оксида ниобия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/449dfb8228179fe41ca7deb8555a415c.jpg)
Способ получения диода на основе оксида ниобия
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ получения диода на основе оксида ниобия включает создание нижнего проводящего электрода, выпрямляющего электрического перехода и верхнего проводящего электрода. В качестве выпрямляющего электрического перехода используют слой оксида ниобия толщиной от 40 нм до 100 нм с верхним электродом, обеспечивающим образование барьера Шот...
2470409![Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника](/img/empty.gif)
Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия представляет собой нанесение металлической пленки ванадия и электродов методами магнетронного распыления...
2554304![Способ взаимодействия в системе связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического переключения Способ взаимодействия в системе связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического переключения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7af7f8a26f963155ff25a18a8b82cf07.jpg)
Способ взаимодействия в системе связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического переключения
Изобретение относится к области реализации моделей нейронных сетей, а в частности к системам связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического переключения, представляющим собой осцилляторные нейронные сети, которые могут использоваться для распознавания образов. Способ взаимодействия в системе связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического пере...
2663546