Козихин Владимир Викторович (RU)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов. Сущность изобретения состоит в том, что в способе формирования полупроводниковых структур эпитаксиальный слой на ис...