Ивакин А.Н.

 (19)SU(11)1176777(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/268(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС. Цель изобретения упрощение технологии и повышение точн...

 Изобретение относится к микроэлектронике. Цель повышение выхода годных, а также надежности и стабильности характеристик МДП БИС. В процессе изготовления БИС осуществляют подгонку порогового напряжения МДП-транзисторов облучением рентгеновским излучением с энергией квантов 100 кэВ дозой, определяемой по формуле D = Un/d2, где = 610-6Pсм2/В, Un величина подгонки порогового напряжения; B, d...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией. Цель изобретения увеличение выхода годных полупроводниковых приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия и повышения надежности приборов в работе. Способ включает формирование на поверхности структуры полупр...

  Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине Uп . Для повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подго...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления ИС на МДП-транзисторах. Целью изобретения является уменьшение разброса параметров МДП - БИС и увеличение процента выхода годных. Способ включает формирование МДП - структуры БИС и радиационную подгонку их пороговых напряжений. Последняя операция осуществляется путем облучения пластины со струк...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС. Цель - увеличение процента выхода годных транзисторов путем локации обработки рентгеновским излучением. Способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесение металлической разводки и подгонку порогового напряжени...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем. Цель изобретения повышение производительности способа, а также улучшение точности подгонки порогового напряжения и увеличение процента выхода годных изделий. Подгонка порогового напряжения Uo в способе осуществляется в два этапа, первый из которых осуществляют путем облу...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем. Цель изобретения заключается в повышении точности подгонки пороговых напряжений и увеличении выхода годных МДП-транзисторов. Для этого после изготовления полевого окисла проводят ионное легирование подзатворной области для предварительного сдвига средне...

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а более конкретно к изготовлению МДП БИС. Цель изобретения улучшение эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизация ее параметров и повышение процентов выхода годных МДП БИС. На кремниевых подложках формируют полевой окисел толщиной 1,0 мкм. Формируют области истока и стока, слой подзатворного диэлектрика то...

  Применение: полупроводниковая технология, более конкретно изготовление МДП-микросхем. Сущность: на полупроводниковой подложке формируют МДП-структуры. Затем проводят подложку порогового напряжения структур путем их облучения рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом. Цикл облучения отжиг повторяют не менее двух раз. Это позволяет примерно в три раза расширить диа...

 Применение: полупроводниковая технология, изготовление ИС, в частности КМОП ИС. Сущность: МДП БИС, изготовление по обычной технологии, облучают рентгеновским ультрафиолетовым излучением для подгонки порогового напряжения. Разные группы МДП-структур (например, n- и p-канальные транзисторы в КМОПИС, требуют в общем случае равной величины подгонки V и V2. Используется то обстоятельство, что...

 Использование: технология изготовления многопороговых БИС на МДП-транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления МДП БИС включает в себя операции формирования на кремниевой подложке активных и полевых областей, ионное легирование подзатворной области, формирование поликремниевой разводки, нанесение межслойной изоляции, формирование металлизированной разводки и облучение сформирова...

  Использование: в медицине и медтехнике для массирующего воздействия на различные участки тела, в частности на кожу и мышечную ткань, для стимуляции их физиологической активности, а также для восстановления работоспособности мышечной ткани после травм и физических перегрузок. Сущность изобретения: устройство содержит вакуумную банку 1 и приспособление для создания разрежения в виде гермет...

 Использование: в радиоэлектронных устройствах. Сущность изобретения: прибор содержит два полупроводниковых слоя с различным типом проводимости, каждый из которых снабжен внешним омическим контактом. Слои выполнены различной толщины и в тонком слое сформированы две области противоположного типа проводимости с различающимися в них концентрациями носителей, которые снабжены омическими контак...

 Использование: в измерительной технике для испытания на герметичность изделий, имеющих непроницаемые внутренние полости. Сущность изобретения: способ заключается в заполнении изделия пробным газом, индикации и нахождении протечки путем облучения и измерения мощности модулированного вышедшим сквозь неплотности газа излучения, по которой судят о нарушении герметичности. В качестве пробного...

 Изобретение относится к спортивной медицине и может быть использовано для подготовки и реабилитации животных в соревнованиях. Способ включает в себя герметизацию участка кожи, под которым расположена предназначенная к стимуляции мышца, и воздействие на указанный участок локальным отрицательным давлением (ЛОД). Отличие предлагаемого способа заключается в том, что герметизацию выполняют пут...

 Изобретение относится к области медицины, а именно к физиотерапии, и предназначен для лечения миофасциальных болей. Способ заключается в том, что пассивно растягивают мышцы локально в зонах расположения в них триггерных точек. При этом растяжение осуществляют вакуумными присосками с перфорированными упругоэластичными мембранами на участки кожи, под которыми находятся зоны поражения мышц....