PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Новгородцева Любовь Владимировна (RU)

Изобретатель Новгородцева Любовь Владимировна (RU) является автором следующих патентов:

Газоанализатор угарного газа

Газоанализатор угарного газа

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение...

2395799

Нанополупроводниковый газоанализатор

Нанополупроводниковый газоанализатор

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки антимонида галлия, легированного теллуридом цинка. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувст...

2423688

Полупроводниковый датчик микропримесей аммиака

Полупроводниковый датчик микропримесей аммиака

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и изменения содержания микропримесей аммиака. Датчик микропримесей аммиака содержит полупроводниковое основание и подложку, полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки твердого раствора теллурида цинка в антимониде галлия (GaSb)0,90(ZnTe)0,10, а подложкой...

2589455

Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода

Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода

Изобретение относится к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода и может быть использовано для экологического мониторинга. Датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия ((ZnTe)0,85(GaSb)...

2603337

Полупроводниковый датчик микропримесей аммиака

Полупроводниковый датчик микропримесей аммиака

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и изменения содержания аммиака. Датчик состоит из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки антимонида галлия (1), и подложки, которой служит электродная площадка (2) пьезокварцевого резонатора (3). Датчик согласно изобретению при существенном уп...

2641016