PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Рожков Александр Владимирович (RU)

Изобретатель Рожков Александр Владимирович (RU) является автором следующих патентов:

Высоковольтный полупроводниковый прибор

Высоковольтный полупроводниковый прибор

Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный p′-N переход, электрические контакты для подачи потенциалов и охранные кольца, расположенные в области периметра р′-слоя планарного р′-N перехода...

2395869

Способ изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов

Способ изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N...

2435247

Способ прогнозирования ишемической болезни сердца у женщин с синдромом поликистозных яичников

Способ прогнозирования ишемической болезни сердца у женщин с синдромом поликистозных яичников

Настоящее изобретение относится к медицине, а именно к лабораторной диагностике, и описывает способ прогнозирования развития ишемической болезни сердца у женщин с синдромом поликистозных яичников, путем исследования биологических параметров, где в сыворотке крови определяют содержание пероксинитрита и метаболитов оксида азота ( и ), вычисляют соотношение первого ко второму и при величине получен...

2480758

Лазер-тиристор

Лазер-тиристор

Использование: для получения управляемой последовательности мощных лазерных импульсов. Сущность изобретения заключается в том, что лазер-тиристор содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2), широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой p-типа проводимости (5), широкозонный слой p-типа проводимости (6), одновременно явля...

2557359