Дзядух Станислав Михайлович (RU)

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительную к инфракрасному излучению структуру, содержащую подложку, верхний слой которой образован из CdTe, рабочий детекторный слой толщиной около 10 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где х=xд=0,2-0,3, изолирующий слой толщиной 0,1-0,2 мкм, изг...

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный...