Якушев Максим Витальевич (RU)

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительную к инфракрасному излучению структуру, содержащую подложку, верхний слой которой образован из CdTe, рабочий детекторный слой толщиной около 10 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где х=xд=0,2-0,3, изолирующий слой толщиной 0,1-0,2 мкм, изг...

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный...

Способ определения концентрации донорного фона в CdxHg1-xTe принадлежит к характеризации материалов и структур оптоэлектроники, точнее к твердым растворам CdxHg1-xTe – основному материалу для изготовления фотодиодов инфракрасного диапазона спектра. Технический результат – создание метода определения концентрации донорного фона в CdxHg1-xTe, который учитывает существование сильной релаксации электр...