Инок И. Ванг (US)
Изобретатель Инок И. Ванг (US) является автором следующих патентов:
Способ получения гамма диоксида марганца, гибридный материал, содержащий гамма mno2, электрохимическая ячейка
Способ получения гамма диоксида марганца, состоящего из частиц, имеющих нитеобразные выступы, выступающие наружу из поверхности частиц, причем выступы являются видимыми при увеличении реального размера в 200 - 2000 раз, включает взаимодействие смеси MnSО4 и Na2S2O8 в растворе с получением смеси реакционного продукта, содержащего осадок гамма MnO2, удаление осадка гамма MnO2 из смеси реакц...
2118292