Шмидт Наталия Михайловна (RU)

Изобретение относится к измерительной технике. Способ включает в себя обеспечение изображения слоя полупроводника полупроводникового светоизлучающего прибора, преобразование этого изображения в двоичное изображение, получение размерности Реньи Dq для степени q в качестве параметра мультифрактального анализа двоичного изображения и определение размерности Реньи Dq в качестве критерия квантовой эфф...

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см2 до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов. Старение проводят при температуре p-n-перехода из...

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраков...