Левин Юрий Исаакович (RU)
Изобретатель Левин Юрий Исаакович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ очистки малеинового ангидрида Способ очистки малеинового ангидрида](/img/empty.gif)
Способ очистки малеинового ангидрида
Изобретение относится к усовершенствованному способу очистки малеинового ангидрида, заключающийся в том, что расплав исходного неочищенного продукта нагревают до 60-65°С, после чего охлаждают до 53-54°С и отфильтровывают при температуре 51,5-53°С. Фильтрацию осуществляют на фильтре с размером отверстий 0,01-0,05 мм и процесс термообработки расплава проводят в атмосфере осушенного инертного газа и...
2399618![Способ очистки треххлористого фосфора Способ очистки треххлористого фосфора](/img/empty.gif)
Способ очистки треххлористого фосфора
Изобретение может быть использовано для получения полупроводниковых соединений. Осуществляют термообработку треххлористого фосфора в паровой фазе при температуре 350-450°С на неорганических оксидных сорбентах, модифицированных редкоземельными элементами. Полученный пар конденсируют и конденсат подвергают ректификационной очистке. Далее осуществляют микрофильтрацию жидкого ректификата при температ...
2446094![Способ очистки жидких, летучих алкилсилоксанов и алкилсилазанов Способ очистки жидких, летучих алкилсилоксанов и алкилсилазанов](/img/empty.gif)
Способ очистки жидких, летучих алкилсилоксанов и алкилсилазанов
Изобретение относится к глубокой очистке алкилсилоксанов и алкилсилазанов, применяемых в производстве фоторезисторов и микроэлектронике. Предложен способ очистки, включающий три основные стадии: ректификацию, фильтрацию в жидкой и паровой фазах на пористых полимерных фильтрах с размерами пор 0,1-0,2 мкм и испарение с последующей конденсацией в безпузырьковом режиме при скорости испарения 0,01-0,2...
2447078![Способ очистки тетраметоксисилана Способ очистки тетраметоксисилана](/img/empty.gif)
Способ очистки тетраметоксисилана
Изобретение относится к способам очистки низших тетраалкоксисиланов, в частности тетраметоксисилана, который может быть применен в микроэлектронике и для шихт для волоконно-оптического стекловарения. Предложенный способ очистки тетраметоксисилана состоит из трех стадий: химической обработки очищаемого продукта газообразным аммиаком до достижения pH 7,5-8,5, последующей за химической обработкой ре...
2463305![Способ получения термической ортофосфорной кислоты и способ ее очистки Способ получения термической ортофосфорной кислоты и способ ее очистки](/img/empty.gif)
Способ получения термической ортофосфорной кислоты и способ ее очистки
Изобретение относится к получению и очистке термической ортофосфорной кислоты и может быть использовано в химической промышленности. В токе осушенного инертного газа или воздуха вводят элементарный фосфор, содержащий 0,54-0,6 мас.% йода, и осуществляют его взаимодействие его с 56-64% азотной кислотой при температуре 95-100°С. Через реакционную массу пропускают осушенный инертный газ или воздух пр...
2464225![Способ очистки тетраэтоксисилана Способ очистки тетраэтоксисилана](/img/empty.gif)
Способ очистки тетраэтоксисилана
Изобретение относится к способам очистки алкоксисиланов и касается получения высокочистого тетраэтоксисилана. Предложен способ очистки тетраэтоксисилана, включающий первоначальную обработку очищаемого продукта 0,3-1,5%-ным водным раствором аммиака, добавляемым при интенсивном перемешивании к очищаемому тетраэтоксисилану в объемном соотношении (4-6):1, последующую ректификацию предварительно очищ...
2537302