Евдокимов Анатолий Аркадьевич (RU)

Изобретение относится к способу изготовления контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN для оптоэлектронных приборов, таких как светоизлучающие диоды, детекторы излучения, лазеры, а также для устройств спинтроники. Сущность изобретения: в способе изготовления прозрачной омической контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN, предусматривающем ионно-плазменную очистку поверхности эпитаксиального слоя p-GaN с...