Звонков Борис Николаевич (RU)

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, которые используются в оптической связи, в оптических компьютерах и т.п. Диод содержит гетероструктуру, включающую подложку, излучающий слой, сильнолегированный атомами переходных элементов группы железа Периодической системы полупроводниковый слой с ферромагнитными свойствами, нелегированный полупроводниковый слой и базовый и инжектирующий электрод...

Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в p-n- и/или в p-i-n- переходе, сформированном в окружающих ее слоях полупроводника, с показателем прело...

Изобретение относится к квантовой электронике. Полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру, выращенную на подложке GaAs, ограниченную перпендикулярными оси роста торцовыми поверхностями, с нанесенными на них покрытиями, с одной стороны - отражающим, а на другой - антиотражающим, и включающую волноводный слой с активной областью, сформированный p-i-n-переход, контактный слой и ограничительны...