Воеводин Г.Л.

 Изобретение может быть использовано для изготовления высокомощных транзисторов, тиристоров, диодов и других полупроводниковых структур. В способе поверхность металлического основания под кристаллом выполняют ребристой с одинаковым направлением ребер. На поверхности металлического основания вне расположения кристалла формируют пуклевку. Перед пайкой производят облуживание металлического ос...