Бухарин В.А.
Изобретатель Бухарин В.А. является автором следующих патентов:

Способ лечения и восстановления трудоспособности больных общесоматическими заболеваниями
Использование: в медицине, физиотерапии для лечения и восстановления трудоспособности больных общесоматическими заболеваниями. Сущность изобретения: на центральную нервную систему пациентов воздействуют импульсным электрическим током прямоугольной формы частотой 1250-2000 Гц, длительностью 0,25-0,35 мс при силе тока 1,0-2,0 мА в течение 30 мин с одновременным вдыханием кислорода. Изобрете...
2082451
Биологический материал для протезов
Изобретение относится к медицине, а именно к сердечно-сосудистой хирургии. Используют Глиссонову капсулу свежезабитого крупного рогатого скота в качестве биологического материала для протезов. Изобретение относится к медицине, а именно к сердечно-сосудистой хирургии. В качестве биологического пластического материала использовали твердую мозговую оболочку, широкую фасцию бедра, аутоперикад...
2095034
Способ монтажа деталей полупроводникового прибора к основанию и полупроводниковый прибор, полученный этим способом
Изобретение может быть использовано для изготовления высокомощных транзисторов, тиристоров, диодов и других полупроводниковых структур. В способе поверхность металлического основания под кристаллом выполняют ребристой с одинаковым направлением ребер. На поверхности металлического основания вне расположения кристалла формируют пуклевку. Перед пайкой производят облуживание металлического ос...
2118585
Способ определения декомпрессионной устойчивости водолазов
Изобретение относится к медицине, физиологии. Испытуемым измеряют систолическое давление в легочном стволе в покое. По величине этого давления определяют устойчивость к декомпрессионной болезни. Способ позволяет установить декомпрессионную устойчивость без повышения барометрического давления. Изобретение относится к области водолазного дела и может быть использовано для профессионального...
2193338