Киреев Р.М.

 Сущностью изобретения является устройство для нанесения вакуумно-плазменных покрытий. В вакуумной камере создается вакуум и подается инертный газ. На анод подается положительный потенциал, а на сетчатый экран и катод-деталь подается отрицательный потенциал от источника питания. Между экраном и катодом-деталью возникает эффект полого катода, проявляющийся в значительном повышении плотности...

 Сущность изобретения: способ азотирования изделий в тлеющем разряде включает нагрев и бомбардировку поверхности ионами азота, образуемыми в плазме повышенной плотности, создаваемой между деталью и специальным экраном. 1 ил. Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для азотирования изделий в электронной и других отраслях промышленности. Известен способ (а. с. N 1770...

 Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для обработки поверхности в электронной, оптической и других отраслях промышленности. Способ позволяет в несколько раз уменьшить время обработки, позволяет получить качественно более чистую поверхность, значительно уменьшить шероховатость поверхности. Сущность способа: катод образован деталью и экраном, к ним подводя...

 Изобретение относится к машиностроению. Способ катодного распыления осуществляется с помощью плазмы повышенной плотности, создаваемой между оптически прозрачным экраном, выполненным в виде сетки, и распыляемым материалом, образующими полый катод с плазмой повышенной плотности. 1 ил. Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для напыления вакуумно-плазменных покрытий...

 Изобретение может быть использовано в электронной, оптической и других областях промышленности. Способ включает осаждение покрытия в инертном газе с помощью системы, состоящей из обрабатываемой детали и экрана в виде сетки, при этом осаждение ведут в сочетании с ионной бомбардировкой подложки при давлении инертного газа 10-2-10-1 Па. Изобретение позволяет получать покрытия с нанокристалли...

 Изобретение относится к машиностроению, а именно, к изготовлению изделий для электронной промышленности методом ионной имплантации. Предложен способ ионной имплантации, включающий имплантацию ионов в обрабатываемую поверхность на глубину, превышающую проецированный пробег ионов, при одновременной подаче на обрабатываемую поверхность положительного потенциала для облучения ее во внешнем эл...