Антипов Александр Анатольевич (RU)

Изобретение относится к нанотехнологии и производству наноструктур. Техническим результатом данного изобретения является получение протяженных массивов наноструктур с возможностью обеспечения эффективного управления формой и ориентацией синтезируемых частиц, селекцией легких и тяжелых частиц для получения большей однородности наноструктур. Сущность изобретения: в способе формирования наноструктур...

Изобретение относится к области электротехники и нанотехнологии, в частности к производству материалов электронной техники и квантовой электроники, использующих технологию локализованного нанесения металлических слоев, либо наноструктур на поверхности различных типов для создания элементов и устройств. Технический результат - создание способа лазерного осаждения наночастиц из коллоидных растворов...

Изобретение относится к области нанотехнологии, в частности, может быть использовано в химической промышленности, электронике, медицине, машиностроении для изготовления пластмасс, компонентов топливных ячеек, аккумуляторов, суперконденсаторов, дисплеев, источников электронов, материалов для протезирования, а также в качестве компонента композиционных материалов, применяемых в авто- и/или авиастро...

Изобретение относится к области технологии изготовления наночастиц и может быть использовано при получении новых материалов для микро- и оптоэлектроники, светодиодных ламп, силовой электроники и других областей полупроводниковой техники. Техническим результатом данного изобретения является уменьшение технологических этапов и отсутствие специального оборудования. Технический результат достигается...

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к получению наноструктур на поверхности полупроводника. Способ модификации полупроводниковой пленки согласно изобретению заключается в том, что воздействуют на полупроводниковую пленку непрерывным лазерным излучением с энергией кванта превосходящей ширину запрещенной зоны в диапазоне мощности от 5 до 10 Вт, при диаметре лазерного пучка...

Изобретение относится к области технологий осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники. Техническим результатом является получение наноструктурированных...

Использование: для получения наноструктурированных металлуглеродных соединений. Сущность изобретения заключается в том, что коллоидный раствор золота, серебра смешивают с коллоидным раствором углерода (шунгита) в концентрации от 10 (углерод) : 1 (золото) : 1 (серебро) до 5 (углерод) : 3 (золото) : 3 (серебро) с последующим воздействием на смесь лазерного излучения (длительностью импульсов 100 нс,...