РАХИМО Мунаф (CH)

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с изолированным затвором, имеющий активную ячейку (5), содержащую карман (6) канала с проводимостью р-типа, окруженную третьим слоем (8) n-типа, при этом прибор содержит дополнительные карманы (11), сформированные примыкающими к карману (6) канала вне активной полупроводниковой ячейки (5), и...

Изобретение относится к области силовой электроники. Для изготовления силового полупроводникового прибора на первой основной стороне подложки (1) первого типа проводимости формируют первый оксидный слой (22). Затем на первой основной стороне сверху первого оксидного слоя (22) формируют структурированный слой (3, 3') электрода затвора, содержащий, по меньшей мере, одно отверстие (31). Первую леги...