Балабанов Дмитрий Евгеньевич (RU)

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной наноструктуры, технология производства которой гарантирует требуемые парамет...

Изобретение относится к области магнитных нанокомпозитных материалов с гигантским магниторезистивным эффектом и может быть использовано в магниторезистивных датчиках и магнитной памяти с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является создание композитной наноструктуры с высоким туннельным магниторезистивным эффектом с возможностью функционирования при рабочих температурах до 8...