Лысенко Елена Николаевна (RU)

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к технологии получения ферритов. Сформованные заготовки помещают в печь сопротивления, нагревают до температуры спекания и спекают. После спекания заготовки вынимают из печи и охлаждают до температуры 780-800°С. При достижении данной температуры начинают облучение заготовок проникающим электронным пучком, удерживая температуру заготовок...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению ферритов. Может использоваться в электронной и радио промышленностях. Исходные компоненты смешивают, подвергают помолу и проводят механическую активацию смеси в энергонапряженном аппарате в течение не менее 10 минут. Полученную смесь брикетируют, нагревают с помощью облучения проникающим электронным пучком до температуры син...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению материала на основе оксидного гексагонального ферримагнетика с W-структурой. Может использоваться в радиотехнике и радиоэлектронике, например, в качестве радиопоглощающих покрытий. Компоненты сушат, смешивают путем механической активации в энергонапряженном аппарате, брикетируют и термообрабатывают в режиме горения. После че...

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство для определения содержания феррита в материале и может быть использовано для определения содержания феррита, измерения температурных зависимостей степени ферритизации и определения по ним температур магнитных фазовых переходов магнитных материалов. Устройство содержит два постоянных магнита, первые два противоположных п...

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к испытаниям магнитных материалов, и может быть использовано для определения содержания феррита в материале, измерения температурных зависимостей степени ферритизации и определения по ним температур магнитных фазовых переходов. Устройство для определения содержания феррита в материале содержит корпус с углублением в верхней части, при этом дв...

Изобретение относится к исследованию материалов путем определения их физических свойств, а именно к определению элементного состава методом вторично-ионной масс-спектрометрии и может быть использовано для определения распределения материала тонкой пленки по глубине при изготовлении многослойных тонкопленочных структур и полупроводниковых приборов. Способ послойного анализа тонких пленок включает н...