Литвин Дмитрий Павлович (RU)
Изобретатель Литвин Дмитрий Павлович (RU) является автором следующих патентов:
![Способ выращивания монокристаллов карбида кремния Способ выращивания монокристаллов карбида кремния](https://img.patentdb.ru/i/200x200/540bc6332a45f6d53b525dc210698c25.jpg)
Способ выращивания монокристаллов карбида кремния
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. В ростовой камере, снабженной теплоизоляцией, размещают параллельно одна напротив другой испаряющуюся поверхность поликристаллического карбида кремния и ростовую поверхность затравочного кристалла. Ростовую камеру нагрева...
2411195