Корбутяк Дмитрий Васильевич (UA)

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника включает облучение слоистого полупроводника в месте предполагаемого расположения электрического контакта одиночным импульсом технологичного лазера с плотностью энергии Е = 1,2 Eпор, где Е - плотность энергии импульса лазера, Епор - плотность энергии...