Гефман Е.М.
Изобретатель Гефман Е.М. является автором следующих патентов:
Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов
Использование: силовая полупроводниковая техника. Сущность изобретения: способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов заключается в облучении партии выпрямительных элементов (в.э.) потоком быстрых электронов, - квантов или протонов, при этом на каждом i-том выпрямительном элементе предварительно определяют U, при заданном I3, и , а величину дозы облуче...
2119211