PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Павлов Александр Юрьевич (RU)

Изобретатель Павлов Александр Юрьевич (RU) является автором следующих патентов:

Лабиринтное уплотнение

Лабиринтное уплотнение

Изобретение относится к конструкциям лабиринтных уплотнений. Лабиринтное уплотнение содержит секции, каждая из которых состоит из гребня, расположенного на ступенчатой поверхности ротора, и ответного сотоблока, расположенного на ступенчатой поверхности статора. Секции объединены, по меньшей мере, в две группы, причем последняя секция одной группы смещена относительно первой секции другой группы в...

2412390

Устройство мультиплексирования микроголограмм в системе оптико-голографической памяти

Устройство мультиплексирования микроголограмм в системе оптико-голографической памяти

Устройство включает лазер, светоделитель, разделяющий излучение лазера на две части, одна из которых используется для формирования предметного пучка и включает матричное устройство ввода информации и фурье-преобразующий объектив, другая - для формирования опорного пучка необходимой конфигурации при перпендикулярном падении опорного пучка на поверхность регистрирующей среды, механизм поворота реги...

2473944

Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам algan/gan

Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам algan/gan

Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона. Технический результат - уменьшение удельного сопротивления омических контактов и упрощение процесса изготовления омических контактов. Технический результат достигается за счет того, чт...

2610346

Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе si/al

Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе si/al

Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции. Омический контакт формируют путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием ф...

2619444

Способ изготовления т-образного затвора

Способ изготовления т-образного затвора

Изобретение относится к технологии формирования Т-образных металлических затворов транзисторов различного типа, предназначенных для работы в диапазонах СВЧ и выше, а также при создании монолитных интегральных схем. Суть изготовления коротких Т-образных затворов с высоким аспектным соотношением и пологим наклоном стенок ножки с помощью диэлектрической маски заключается в последовательном нанесении...

2624600