Тадевосян Самвел Грантович (RU)

Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе. Техническим результатом изобретения является уменьшение количества дефектов и повышение качества пленок кремния на изоляторе за счет сохранения качества исходного материала. Сущность изобретения - в способе изготовления структуры кремния на изоляторе путем соединения двух кремниевых пластин, одна из кото...

Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений. Способ включает помещение полируемой пластины в травящий химический раствор, причем полируемую пластину прикрепляют к вакуумному держателю нерабочей стороной, опускают в химический раствор рабочей стороной и вращают вокруг своей ос...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Многокристальная микросхема, включающая стопу кристаллов одинакового размера, имеющих проводящие области, выходящие на лицевую грань стопы и соединенные с контактными площадками кристаллов, плату-основание, соединенную со стопой кристаллов и имеющую необходимую разводку межсоединений и внешние выводы, расположенные с нижней стороны платы-основания,...

Использование: для изготовления монолитных контактов и зондов, используемых в электронной технике. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления монолитных контактов и зондов осуществляется путем формирования на проводящем материале двух контуров маски друг над другом и последующем травлении проводящего материала. Технический результат - обеспечение возможности надежности контакт...