ШЭНЬ Юй-Чэнь (US)

Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6×1018 см-3 до 5×1019 см-3 и имеет III-толщину от 50 ангстрем до 250 ангстрем, при этом III-нитри...