ВАТАНАБЕ Сатоси (US)

Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6×1018 см-3 до 5×1019 см-3 и имеет III-толщину от 50 ангстрем до 250 ангстрем, при этом III-нитри...

Изобретение относится к области транспорта и может быть использовано в устройствах определения детонации двигателя внутреннего сгорания. Техническим результатом является уменьшение влияния шума и повышение точности определения детонации, даже если шум накладывается на какую-либо из составляющих вибрационного колебания множества полос частот, которые извлекаются из выходного сигнала средства детек...