МЮЛЛЕР Герд О. (US)

Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6×1018 см-3 до 5×1019 см-3 и имеет III-толщину от 50 ангстрем до 250 ангстрем, при этом III-нитри...

Керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью 31 полупроводниковой структуры 12, содержащей светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью р-типа. Слой прозрачного материала 36 также расположен на пути света, испускаемого светоизлучающей областью. Прозрачный материал может соединять ке...