Пипоян Рубен Арамаисович (RU)

Изобретение относится к области приборостроения. В многослойной структуре тонкопленочные слои 1, 2, 3 толщиной 300 нм поликристаллических сегнетоэлектриков-релаксоров сформированы на подложке 4 из сегнетоэлектрического керамического электретного материала. Электрический потенциал подложки 4 является источником смещающего электрического поля, которое смещает ионные подрешетки материала в слоях 1,...