САСАКИ Наруясу (JP)

Изобретение относится к области плазменной обработки при изготовлении полупроводников. Технический результат - повышение стабильности и продолжительности поддерживания плазмы. Источник ионов снабжен высокочастотной антенной (16), установленной на внешней окружной стороне ограждающей стенки (15), выполненной из диэлектрического материала и ограничивающей плазменную генераторную камеру (14), и защи...