ЙОНГЕРДЕН Герт Ян (NL)

Изобретение относится с фотоэлектрическому элементу, включающему в себя, по меньшей мере, первый переход между парой полупроводниковых областей (4-9). По меньшей мере, одна из этой пары полупроводниковых областей включает в себя, по меньшей мере, часть сверхрешетки, содержащей первый материал с распределенными в нем образованиями второго материала. Образования имеют достаточно малые размеры, так...