Ноздрин Юрий Николаевич (RU)
Изобретатель Ноздрин Юрий Николаевич (RU) является автором следующих патентов:
![Активная зона генератора на полупроводниковой структуре Активная зона генератора на полупроводниковой структуре](https://img.patentdb.ru/i/200x200/65f6032b5d8409a8b81360870e84ec68.jpg)
Активная зона генератора на полупроводниковой структуре
Активная зона представляет собой сверхрешетку, выполненную в виде гетероструктуры из соединений типа АIIIВV и обеспечивающую периодическую вариацию энергии дна зоны проводимости структуры. Сверхрешетка имеет период d, состоящий из одной потенциальной квантовой ямы и узкого потенциального барьера, ширина которого в 3-20 раз меньше ширины потенциальной квантовой ямы. Рабочим переходом в активной зо...
2415502![Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7ffaef63a576188eae4a654d9545d22e.jpg)
Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения
Резонатор имеет круговое сечение и изготовлен в виде тела вращения. Тело вращения включает в себя активную область, обкладочные слои и часть подложки. Образующая боковой поверхности тела вращения имеет наклон по отношению к нормали гетероструктуры. Технический результат заключается в обеспечении возможности вывода широкополосного по длине волны излучения в вертикальном направлении. 2 ил.
2423764