ХЭ Фань (US)
Изобретатель ХЭ Фань (US) является автором следующих патентов:

Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором
Изобретение относится к технологии датчиков изображения. В частности настоящее изобретение относится к архитектуре датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором. Техническим результатом является повышение чувствительности и расширение динамического диапазона. Результат достигается тем, что схема пикселя содержит полупроводниковое устройство с плавающим затвором...
2418383
Устройства и способы твердотельных затворов
Изобретение относится к немеханическим твердотельным затворам для камер и включает в себя управляемый электронным способом материал. Материал обеспечивает изменение оптической плотности для перехода затвора из открытого состояния в закрытое. Период прозрачности является периодом времени, когда слой изменяет прозрачность приблизительно от 100% до 0%. Электронные схемы находятся на связи с модулем...
2543675