Микертумянц Артем Рубенович (RU)

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией для микросборок интегральных схем и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на пластину с металлическими контактами последовательно наносят первый слой фоторезиста, первый металлический слой, второй слой фоторезиста и второй металлический слой, затем проводят фотолитогр...

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из индий-сурьма (InSb). Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на поверхность пластины с мета...

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП мультиплексоров наносят слой защитного окисла и слой фоторезиста. Вскрывают контактные окна к металлизиро...

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного обращаемого фоторезиста, который после экспонирования через фотошаблон с рисунком микроконтактов подвергается...