Хворостов Валентин Иванович (RU)

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при производстве газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров. Способ изготовления полого холодного катода газового лазера, включающий изготовление заготовки, напыление на ее внутреннюю поверхность эмитирующей пленки и окисление ее в кислороде, в котором заготовку катода и эмитирующ...

Изобретение относится к области электроники. Технологический прибор для обработки полого холодного катода в газовом разряде, содержащий полый холодный катод, анод, расположенный коаксиально внутри катода и равноудаленный от его поверхности, стеклянную вакуумно-плотную оболочку, в котором анод выполнен составным, рабочая часть анода, контактирующая с газовым разрядом, соединена с его внешней ча...

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к способам очистки газоразрядных приборов, например резонаторов моноблочных газовых лазеров, в процессе технологической обработки. Способ ионно-плазменной очистки внутренней поверхности резонатора газового лазера включает установку корпуса резонатора газового лазера на откачной пост, высоковакуумную откачку и наполнение газом, со...

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров. Способ создания анодной окисной пленки холодного катода газового лазера в тлеющем разряде постоянного тока, включающий сборку технологического прибора, установку холодного катода газового лазера и составного анода в кон...

Использование: для определения толщины окисной пленки алюминия в процессе анодного окисления холодного катода в тлеющем разряде кислорода. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения средней толщины окисной пленки в процессе анодного окисления холодного катода в тлеющем разряде кислорода, включающий создание высокого вакуума в области контроля, отличается тем, что определяют пло...