Пушный Борис Васильевич (RU)

Способ изготовления гетероструктуры для фотопреобразователя на основе арсенида галлия на германиевой подложке методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений заключается в отжиге германиевой подложки в потоке водорода, стабилизации поверхности германия с преобразованием моноатомных ступеней в двухтомные, выращивании первого слоя GaAs на германии, выращивании второго слоя GaAs поверх...

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых материалов, включающем воздействие на обрабатываемую поверхность механической нагрузки и полирующей компози...

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: в способе определения неоднородностей в полупроводниковом материале, включающем анодное оксидирование поверхности твердого тела из полупроводникового материала в во...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным структурам, используемым, в частности, в фотоэлектрических преобразователях. Способ изготовления полупроводниковой структуры включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом эпитаксиального выращивания слоев n-типа проводимости и p-типа проводимости, образующих не менее двух сопря...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям солнечной энергии. Фотоэлектрический преобразователь на основе изотипной варизонной гетероструктуры из полупроводниковых соединений A3B5 и/или A2B6 содержит полупроводниковую подложку и изотипный с подложкой фотоактивный слой, просветляющий слой и омические контакты. Ширина запрещенной зоны в фотоактивном...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений в потоке водорода сверхрешетки, состоящей из чередующихся слоев GaSb и InAs. Сверхрешетка содержит по...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов. В способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, включающем выращивание антимонида галлия методом эпитаксии на подложке из антимонида галлия, при этом процесс...

Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя включает последовательное выращивание методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке InP в потоке очищенного водорода при пониженном давлении при температуре эпитаксии буферного слоя InP из триметилиндия и фосфина и слоя InxGa1-xAsyP1-y, где 0,59<х<0,80 и 0,55<у<0,92, из триметилиндия, триэт...