Шерстнев Виктор Вениаминович (RU)
Изобретатель Шерстнев Виктор Вениаминович (RU) является автором следующих патентов:
![Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7ffaef63a576188eae4a654d9545d22e.jpg)
Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения
Резонатор имеет круговое сечение и изготовлен в виде тела вращения. Тело вращения включает в себя активную область, обкладочные слои и часть подложки. Образующая боковой поверхности тела вращения имеет наклон по отношению к нормали гетероструктуры. Технический результат заключается в обеспечении возможности вывода широкополосного по длине волны излучения в вертикальном направлении. 2 ил.
2423764![Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b2395eae42f0d2a7523fa4d6fb817bed.jpg)
Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым частотно-перестраиваемым источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery Modes-WGM). Такие источники ИК излучения могут применяться в спектрометрии, медицине, оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскор...
2431225![Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты) Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7c7dd419a79fcf78eb353bd669df7fdc.jpg)
Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты)
Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность полупроводниковой подложки (1) противолежащую поверхности с дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10), нанесен первый омический контак...
2465699![Пассивирующее покрытие поверхностей инфракрасных фотодиодов, светодиодов и лазеров Пассивирующее покрытие поверхностей инфракрасных фотодиодов, светодиодов и лазеров](/img/empty.gif)
Пассивирующее покрытие поверхностей инфракрасных фотодиодов, светодиодов и лазеров
Изобретение относится к полупроводниковой и лазерной технике и предназначено для повышения качества работы фото-, светодиодов и лазеров. Для этого на рабочие поверхности указанных устройств для их пассивации наносится раствор фуллерена C70 в ароматическом растворителе, например в дихлорбензоле с концентрацией 0,5 мг/мл. Далее выполняются термическая сушка для испарения растворителя и ультрафиоле...
2488864![Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8fa3b9dbcc397fa1c3b7756f14372999.jpg)
Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения
Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) AIIIBV с активной областью (2) в форме диска с отверстием в центре на основе гетероструктуры, выполненной из твердых растворов AIIIBV, первый омический контакт (4) и второй омический контакт (7). Первый омический контакт (4) нанесен на поверхность (3) активной области (2). Второй омический контакт (7) нане...
2488916