ХАН Джае Воонг (KR)

Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству. Сущность изобретения: нитридное полупроводниковое устройство содержит слой нитридного полупроводника n-типа, слой нитридного полупроводника p-типа, активный слой, сформированный между слоями нитридного полупроводника n-типа и p-типа посредством поочередного наложения слоев с квантовыми ямами и квантовых барьерных с...